多重光刻实现7nm 光刻清洗N倍增量
2023-09-08 13:21:13|
来源：韭研公社 作者：
中芯国际通过多重光刻技术，实现了MATE60的完全国产化，是国产半导体行业的里程碑；
这意味着在美国制裁高端光刻机的背景下，通过低端光刻机+多重光刻技术可以弯道实现7nm芯片
(资料图片)
1、事件：
MATE60的国产化引起市场发酵。
据彭博社报道，中芯国际用交旧的ASML 光刻机，采用多重光刻法，通过4次或更多次光刻，实现了7纳米
2、逻辑：
当光刻机性能不足时，多重曝光是变相提升芯片制程的唯一办法不同型号光刻机有着相对应的光刻精度，比如ASML的1980Di光刻机，适合制造28nm，但引入“多重曝光”技术后，1980Di型号光刻机也可以生产14nm，甚至7nm制程芯片
根据公开信息，1980Di 正是中芯国际唯一不受管制的ASML 光刻机（因为1980Di 太落后了）
但正是如此落后的1980Di ，中芯国际硬是利用多重光刻技术实现突破，造出了7nm！
3、受益方向
多重光刻技术，虽然弥补了光刻机性能落后的短板，但是代价是极大的增加了成本，
每一次光刻机处理，都要消耗一次光刻清理。
多重光刻技术带来的增量：
1、N次光刻清洗
2、加倍特种气体
3、高质量Arf光刻胶及高要求掩膜版
4、受益个股
光刻清洗方向的细分方向，富乐德在国内泛半导体设备洗净市场市占率约20%，客户涵盖中芯国际，且今天在互动平台表示，公司7nm清洗工艺已较为成熟，是最有弹性的个股。
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